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METHOD OF SHRINKING GRAIN SIZE OF TUNGSTEN SILICIDE, MULTILAYER STRUCTURE OF TUNGSTEN SILICIDE, AND TWO-LAYER STRUCTURE OF TUNGSTEN-SILICIDE CRYSTALLINE GRAINS

机译:收缩钨晶粒尺寸的方法,钨硅的多层结构以及钨硅晶体晶粒的两层结构

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel method of shrinking the grain size of tungsten silicide, which can shrink the grain size of tungsten silicide, a multilayer structure of tungsten silicide, and a two-layer structure of tungsten-silicide crystalline grains. ;SOLUTION: This multilayer structure of tungsten silicide is constituted by forming a first tungsten-silicide layer on a semiconductor substrate, a first intermediate layer on the first tungsten-silicide layer, and a second tungsten- silicide layer on the first intermediate layer.;COPYRIGHT: (C)2003,JPO
机译:要解决的问题:提供一种缩小硅化钨的晶粒尺寸的新方法,该方法可以缩小硅化钨的晶粒尺寸,硅化钨的多层结构以及硅化钨晶粒的两层结构。 ;解决方案:这种硅化钨的多层结构是通过在半导体衬底上形成第一硅化钨层,在第一硅化钨层上形成第一中间层,以及在第一中间层上形成第二硅化钨层来构成的。版权:(C)2003,日本特许厅

著录项

  • 公开/公告号JP2002353166A

    专利类型

  • 公开/公告日2002-12-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 PROMOS TECHNOLOGIES INC;

    申请/专利号JP20010145406

  • 发明设计人 SHAO-CHO UU;

    申请日2001-05-15

  • 分类号H01L21/285;H01L21/28;H01L21/3205;H01L29/43;H01L29/78;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 00:12:18

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