机译:形成集成电路,形成导线,形成导电网格,形成导电网络,形成到节点位置的电互连,形成与晶体管源/漏区的电互连的半导体处理方法以及集成电路
公开/公告号US2003073268A1
专利类型
公开/公告日2003-04-17
原文格式PDF
申请/专利权人 NOBLE WENDELL P.;
申请/专利号US20020304359
发明设计人 WENDELL P. NOBLE;
申请日2002-11-25
分类号H01L21/00;H01L21/84;H01L21/336;
国家 US
入库时间 2022-08-22 00:11:22