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In-situ use of dichloroethene and NH3 in an H2O steam based oxidation system to provide a source of chlorine

机译:在基于H2O蒸汽的氧化系统中原位使用二氯乙烯和NH3提供氯源

摘要

A method of using dichloroethene and ammonia to provide chlorine and nitrogen during the growth of an in-situ hardened gate dielectric. The method provides a gaseous source of gettering agent and a gaseous source of dielectric strengthening agent that are compatible with each other and can be used during the formation of in-situ hardened dielectric or the strengthening of an already formed dielectric.
机译:一种在原位硬化的栅极电介质生长过程中使用二氯乙烯和氨气提供氯和氮的方法。该方法提供了彼此相容的气态吸气剂源和介电增强剂气源,它们可用于原位硬化的电介质的形成或已经形成的电介质的增强。

著录项

  • 公开/公告号US6620742B2

    专利类型

  • 公开/公告日2003-09-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;

    申请/专利号US20020193597

  • 发明设计人 DON CARL POWELL;

    申请日2002-07-10

  • 分类号H01L213/10;H01L214/69;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:07:09

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