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Structure and method for index-guided, inner stripe laser diode structure

机译:折射率引导内条纹激光二极管结构的结构和方法

摘要

An inner stripe laser diode structure for GaN laser diodes is disclosed. Inner stripe laser diode structures provide a convenient means of achieving low threshold, single mode laser diodes. The structure of an inner stripe laser diode is modified to produce lateral index guiding.
机译:公开了一种用于GaN激光二极管的内部条纹激光二极管结构。内条纹激光二极管结构提供了一种实现低阈值单模激光二极管的便捷方法。修改内部条纹激光二极管的结构以产生横向折射率引导。

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