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EMBEDDED ATTENUATED PHASE SHIFT MASK AND METHOD OF MAKING EMBEDDED ATTENUATED PHASE SHIFT MASK

机译:嵌入式衰减相移掩码以及制作嵌入式衰减相移掩码的方法

摘要

An embedded attenuated phase shift mask ("EAPSM") includes an etch stop layer that can be plasma etched in a process that is highly selective to the underlying quartz substrate. Selectivity to the underlying quartz maintains a desired 180 degree phase shift uniformly across the active mask area. Conventional plasma etching techniques can be utilized without damage to the underlying quartz substrate. Alternatively, the etch stop layer comprises a transparent material that can remain intact ion the mask structure.
机译:嵌入式衰减相移掩模(“ EAPSM”)包括蚀刻停止层,该蚀刻停止层可以在对下面的石英衬底具有高度选择性的过程中被等离子体蚀刻。对下面的石英的选择性在整个有源掩模区域上均匀地保持了所需的180度相移。可以利用常规的等离子体蚀刻技术而不会损坏下面的石英基板。可替代地,蚀刻停止层包括可以在掩模结构上保持完整的透明材料。

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