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Built-in self-test circuit for testing multiple embedded memory devices and integrated circuit including the same

机译:内置自检电路,用于测试多个嵌入式存储设备以及包括该电路的集成电路

摘要

PURPOSE: A BIST(Built In Self Test) circuit for testing multi-memory and an integrated circuit apparatus with the BIST circuit are provided to reduce the testing time to a plurality of memories by processing a testing with respect to each memory in parallel. CONSTITUTION: A BIST controller(310) generates test data for testing memories(331-333), inputs the test data to the memories(331-333), and compares read data to determine positive/negative of the memories(331-333). A plurality of multiplexers(321-323) transmit the test data to the memories(331-333) upon testing the memories(331-333) and transfer normal data to the memories(331-333) in a normal operation of the memories(331-333). Output selecting units(351-353) are connected to the memories(331-333) and a bus(390) to output the read data from the respective memories(331-333) in parallel to the BIST controller(310) upon testing the memories(331-333). The output selecting units(351-353) output the read data from the memories(331-333) to the bus(390) in the normal operation of the memories(331-333).
机译:目的:提供用于测试多存储器的BIST(内置自测试)电路和具有该BIST电路的集成电路装置,以通过并行地对每个存储器进行测试来减少对多个存储器的测试时间。构成:BIST控制器(310)生成用于测试存储器(331-333)的测试数据,将测试数据输入到存储器(331-333),然后比较读取的数据以确定存储器的正/负(331-333) 。在测试存储器(331-333)时,多个多路复用器(321-323)将测试数据发送到存储器(331-333),并且在存储器(正常运行)中将正常数据传输到存储器(331-333)。 331-333)。输出选择单元(351-353)连接到存储器(331-333)和总线(390),以在测试BIST控制器(310)时并行地从各个存储器(331-333)输出读取的数据到BIST控制器(310)。回忆(331-333)。输出选择单元(351-353)在存储器(331-333)的正常操作中将所读取的数据从存储器(331-333)输出到总线(390)。

著录项

  • 公开/公告号KR20030054198A

    专利类型

  • 公开/公告日2003-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号KR20010084325

  • 发明设计人 CHUN BEOM IK;

    申请日2001-12-24

  • 分类号G11C29/00;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 23:46:45

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