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Semiconductor laser diode for reducing optical loss and for improving thermal characteristics

机译:半导体激光二极管,用于减少光损耗并改善热特性

摘要

PURPOSE: A semiconductor laser diode with improved optical loss and thermal characteristics is provided to achieve efficient heat dissipation and reduce optical loss, using asymmetrical waveguide and clad structure. CONSTITUTION: The laser diode includes an active layer emitting a laser beam, and a n-waveguide layer and a n-clad layer are arranged in sequence in one side centering on the active layer, and a p-waveguide layer and a p-clad layer are arranged in sequence in another side. The composition of the p-waveguide layer and the p-clad layer is different from the composition of the n-waveguide layer and the n-clad layer.
机译:目的:提供一种具有改善的光损耗和热特性的半导体激光二极管,以使用不对称的波导和包层结构实现有效的散热并减少光损耗。组成:激光二极管包括一个发射激光束的有源层,一个n波导层和一个n包覆层在以有源层为中心的一侧顺序排列,一个p波导层和一个p包覆层层依次排列在另一侧。 p波导层和p包层的组成与n波导层和n包层的组成不同。

著录项

  • 公开/公告号KR20030072994A

    专利类型

  • 公开/公告日2003-09-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LG ELECTRONICS INC.;

    申请/专利号KR20020012326

  • 发明设计人 KIM CHEOL HOE;

    申请日2002-03-08

  • 分类号H01S5/30;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 23:46:19

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