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Diode with a short recovery time, and production method thereof

机译:恢复时间短的二极管及其制造方法

摘要

A soft recovery diode is made by first implanting helium into the die to a location below the P/N junction and the implant annealed. An E-beam radiation process then is applied to the entire wafer and is also annealed. The diode then has very soft recovery characteristics without requiring heavy metal doping.
机译:首先将氦气注入到芯片中P / N结以下的位置,然后对注入物进行退火,从而制成软恢复二极管。然后,将电子束辐射工艺应用于整个晶圆,并进行退火。这样,二极管就具有非常柔软的恢复特性,而无需重金属掺杂。

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