首页> 外国专利> A method for the production of a based on gan - aln high voltage component and the semiconductor component produced by the half conductor

A method for the production of a based on gan - aln high voltage component and the semiconductor component produced by the half conductor

机译:一种用于生产基于gan-aln的高压组件和由半导体生产的半导体组件的方法

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号DE69625045T2

    专利类型

  • 公开/公告日2003-07-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KONINKL PHILIPS ELECTRONICS NV NL;

    申请/专利号DE1996625045T

  • 发明设计人 MENSZ M NL;KHAN A NL;TASKER R NL;

    申请日1996-12-06

  • 分类号H01L21/18;H01L29/205;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 23:39:31

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