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机译:一种用于生产基于gan-aln的高压组件和由半导体生产的半导体组件的方法
公开/公告号DE69625045T2
专利类型
公开/公告日2003-07-24
原文格式PDF
申请/专利权人 KONINKL PHILIPS ELECTRONICS NV NL;
申请/专利号DE1996625045T
发明设计人 MENSZ M NL;KHAN A NL;TASKER R NL;
申请日1996-12-06
分类号H01L21/18;H01L29/205;
国家 DE
入库时间 2022-08-21 23:39:31
机译: 基于半导体的部件,用于基于半导体的部件的容器以及用于制造基于半导体的部件的方法
机译: 具有部分负电流电压特性和具有四个区域的半导体的半导体组件及其制造方法
机译: 制备基于高压GaN-AlN的半导体器件的方法以及所制造的半导体器件