解决方案:通过诸如电子的膜形成方法,在包含诸如Ni,Co,Fe等的催化剂金属的催化剂金属基板1上形成以Ti为主成分的非催化剂金属层2。束气相沉积法和溅射法。由此,形成由催化剂金属基板1和非催化剂金属层2的层叠结构构成的基板100。非催化剂金属层2的膜厚优选为50ang以上。或更多至400Å或更少。基板100被放置在热CVD(化学气相沉积)装置的容器中,并且在包括碳氢化合物气体作为原料气体的气氛中被加热,以使碳纳米管在非催化剂金属层2上生长。版权所有(C)2005,JPO&NCIPI
公开/公告号JP2004284921A
专利类型
公开/公告日2004-10-14
原文格式PDF
申请/专利号JP20030082304
发明设计人 KATAYAMA MITSUHIRO;NISHIMURA KOICHI;HIRAO TAKASHI;HONDA SHINICHI;ENDO KOJI;OURA KENJIRO;KIMOTO MAMORU;
申请日2003-03-25
分类号C01B31/02;B82B1/00;H01G9/058;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 23:36:17