要解决的问题:提供一种预测由基板材料形成的基板晶格中注入的原子和缺陷成分的行为的方法,以改善电子设备的性能。
解决方案:这是一种预测由衬底材料形成的衬底晶格中注入的原子和缺陷成分的行为的技术,以获取可能在一个或多个材料过程操作时生成的微过程聚集的基本数据。数据包括显示某些状态的能量和结构的数据,这些状态可能在微过程聚集中的过程动力学和材料过程操作时生成。根据基本数据和外部条件聚集,可以预测基体晶格中注入的原子和缺陷成分的分布。通过求解高速成分达到其伪稳态之前的时间段内的主要关系,计算出每种特定的高速成分的浓度后,可以预测一种或多种高速成分的分布。高速成分是通过在上述时间段之后基于其他成分求解二次关系来计算的。高速成分的伪稳定状态意味着高速成分的浓度由其他成分的浓度决定。
版权:(C)2005,JPO&NCIPI
公开/公告号JP2004312015A
专利类型
公开/公告日2004-11-04
原文格式PDF
申请/专利号JP20040109359
申请日2004-04-01
分类号H01L21/265;H01L21/22;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 23:31:14