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Magnetic memories with bit lines and digit lines that intersect at oblique angles and fabrication methods thereof

机译:具有以斜角相交的位线和数字线的磁存储器及其制造方法

摘要

A magnetic memory includes digit lines, bit lines, and magnetic tunnel junctions (MTJs) that are between the bits lines and the digit lines. The digit lines intersect the bit lines at an oblique angle. The digit lines may intersect the bit lines at an oblique angle of from 15 to 75.
机译:磁存储器包括数字线,位线以及在位线和数字线之间的磁性隧道结(MTJ)。位线以斜角与位线相交。数字线可以以15到75°的斜角与位线相交。

著录项

  • 公开/公告号US2004084702A1

    专利类型

  • 公开/公告日2004-05-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JEONG WON-CHEOL;

    申请/专利号US20030687134

  • 发明设计人 WON-CHEOL JEONG;

    申请日2003-10-16

  • 分类号H01L29/94;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 23:16:01

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