包括位线气隙和字线气隙的非易失性存储器以及对应的制造方法

摘要

提供一种非易失性存储器阵列中的气隙隔离以及关联的制造处理。可由位线气隙(436)至少部分地提供在衬底的相邻有源区域之间的电隔离，该位线气隙在有源区域之间在列方向上伸长。至少一个封盖(434)被形成在每个隔离区上方，所述封盖至少部分地盖在空气上以提供对应的气隙的上端点。封盖可以沿相邻电荷存储区的侧壁而至少部分地形成。在不同实施例中，使用选择性生长处理来在隔离区上方形成封盖条带，以限定气隙。还提供了在存储元件的相邻行之间在行方向上伸长的字线气隙(487)。选择性生长处理涉及由催化剂层的沉积或由离子注入而实现的电荷存储区的表面的改性。