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METHOD FOR MANUFACTURING FLAT CELL PRODUCTS TO REDUCE TAT(TOTAL AROUND TIME)

机译:制造扁平电池产品以减少TAT(总时间)的方法

摘要

Purpose: a kind of method is arranged to reduce TAT (around the time all) for manufacturing flat cell product by simplifying manufacturing process. Construction: a n traps (112) and a p-well (114) are formed in semi-conductive substrate (100), are defined with a logical gate (LP) and a flat cell part (FP). E1 ion implantings are performed in order to the starting voltage of one parts NMOS of control. E2 processing will carry out p-well to control the starting voltage of the parts PMOS. E2 ion implantings are performed. Then, the ion implanting of a blank will be combined structure.
机译:目的:一种方法被安排为通过简化制造过程来减少制造扁平电池产品的TAT(几乎所有时间)。构造:在半导体衬底(100)中形成n个阱(112)和p阱(114),并用逻辑门(LP)和扁平单元部分(FP)定义。进行E1离子注入是为了控制NMOS的一部分的起始电压。 E2处理将执行p阱以控制部件PMOS的启动电压。进行E2离子注入。然后,将离子注入的坯料组合起来。

著录项

  • 公开/公告号KR20040081939A

    专利类型

  • 公开/公告日2004-09-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD.;

    申请/专利号KR20030016542

  • 发明设计人 YOON SEOK MAN;

    申请日2003-03-17

  • 分类号H01L27/10;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 22:48:01

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