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Processes for forming a CIP tri-layer (CIP3L) structure, with a permanent magnet layer positioned behind the SH

机译：形成CIP三层（CIP3L）结构的过程，其中永磁体层位于SH的后面

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公开/公告号GB0402232D0

专利类型
公开/公告日2004-03-03

原文格式PDF
申请/专利权人 SEAGATE TECHNOLOGY LLC;
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申请/专利号GB20040002232
发明设计人
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申请日2004-02-02
分类号
国家 GB
入库时间 2022-08-21 22:38:59

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