要解决的问题:提供一种高导电性的二氧化铈烧结体及其制造方法。
解决方案:通过经历用于产生具有特定组成的前驱体的沉淀产物的过程,产生具有可控形状,较少聚集和良好烧结性的Dy掺杂纳米二氧化铈球形颗粒。通过烧结,制造了包含平均直径为100nm的颗粒的致密的烧结体,由此极大地提高了其导电性,并且获得了常规的掺杂稀土元素的二氧化铈烧结体无法获得的具有高导电性的纳米烧结体。获得。
版权:(C)2005,JPO&NCIPI
公开/公告号JP2005247673A
专利类型
公开/公告日2005-09-15
原文格式PDF
申请/专利号JP20040064616
申请日2004-03-08
分类号C04B35/50;C01F17/00;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 22:37:17