要解决的问题:提供一种用于ID芯片的半导体器件的制造方法,该半导体器件具有适当的生产量并且难以伪造。解决方案:该用于制造半导体器件的方法包括在绝缘板上的调制电路,解调电路,逻辑电路,存储电路和天线电路。存储电路是非易失性存储电路。非易失性存储电路的数据在制造中被写入,并且通过使用电子束曝光或激光曝光来执行数据部分的元件形成。对于其他部位的曝光,可以使用镜面投影曝光,步进重复曝光或步进扫描曝光。
版权:(C)2005,JPO&NCIPI
公开/公告号JP2005268774A
专利类型
公开/公告日2005-09-29
原文格式PDF
申请/专利权人 SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD;
申请/专利号JP20050042787
发明设计人 KOYAMA JUN;
申请日2005-02-18
分类号H01L21/027;G03F7/20;G06K19/07;G06K19/077;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 22:33:10