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Data access circuit of semiconductor memory device

机译:半导体存储装置的数据存取电路

摘要

A data access circuit of a semiconductor memory device in which data is read and written via all multiple ports in the semiconductor memory device having a multi-port structure. The data access circuit device having a multi-port structure comprises a write controller, a plurality of ports to receive serial data to be written, a plurality of read/write data control units, a plurality of write buffer units, a read controller, an input/output sense amplifier, and a plurality of read buffer units. Test time for the semiconductor memory device can be shortened by doubling the number of ports even in low frequency equipment, thus improving the throughput, by allowing data to be simultaneously and divisionally accessed via all ports, instead of accessing the data via a specified port at a time.
机译:半导体存储器件的数据访问电路,其中经由具有多端口结构的半导体存储器件中的所有多个端口来读取和写入数据。具有多端口结构的数据访问电路装置包括写控制器,用于接收要写的串行数据的多个端口,多个读/写数据控制单元,多个写缓冲器单元,读控制器,输入/输出读出放大器和多个读取缓冲器单元。即使在低频设备中,也可以通过将端口数量加倍来缩短半导体存储设备的测试时间,从而提高吞吐量,方法是允许通过所有端口同时并分区访问数据,而不是通过指定端口访问数据。一个时间。

著录项

  • 公开/公告号US2005141279A1

    专利类型

  • 公开/公告日2005-06-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 DONG-HAK SHIN;

    申请/专利号US20040015462

  • 发明设计人 DONG-HAK SHIN;

    申请日2004-12-16

  • 分类号G11C16/06;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 22:23:24

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