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Dry etching method, microfabrication process and dry etching mask

机译:干蚀刻方法,微细加工工艺及干蚀刻掩模

摘要

A dry etching is performed using a mask made of a tantalum or a tantalum nitride under a reaction gas of a carbon monoxide with an additive of a nitrogen containing compound gas.
机译:使用由钽或氮化钽制成的掩模在一氧化碳与含氮化合物气体的添加剂的反应气体下进行干法蚀刻。

著录项

  • 公开/公告号US6821451B2

    专利类型

  • 公开/公告日2004-11-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TDK CORPORATION;

    申请/专利号US20010816784

  • 发明设计人 KAZUHIRO HATTORI;

    申请日2001-03-26

  • 分类号B44C12/20;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 22:20:52

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