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ACIDIC POLISHING SLURRY FOR THE CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING OF SIO2 ISOLATION LAYERS

机译:SIO2隔离层化学机械抛光的酸性抛光浆

摘要

An acidic polishing slurry for chemical-mechanical polishing, containing 0.1 to 5%by weight of a colloidal silica abrasive and 0.5 to 10% by weight of a fluoride salt, isdistinguished by a higher polishing selectivity with regard to the rate at which silicais removed compared to the rate at which silicon nitride is removed compared to aconventional polishing slurry containing pyrogenic silica.
机译:用于化学机械抛光的酸性抛光浆,含量为0.1至5%重量的胶态二氧化硅磨料和0.5至10重量%的氟化物盐是在二氧化硅的转化率方面具有较高的抛光选择性与去除氮化硅的速率相比,去除率含有热解二氧化硅的常规抛光浆。

著录项

  • 公开/公告号SG109480A1

    专利类型

  • 公开/公告日2005-03-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 BAYER AKTIENGESELLSCHAFT;

    申请/专利号SG20010007319

  • 申请日2001-11-27

  • 分类号C09K3/14;C09G1/02;H01L21/321;H01L21/306//(C09G1/02;C01B33/14;C01B7/19);

  • 国家 SG

  • 入库时间 2022-08-21 22:16:00

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