退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:形成用于防止在沟槽顶部拐角处发生电场聚焦的半导体器件隔离层的方法
公开/公告号KR20050000056A
专利类型
公开/公告日2005-01-03
原文格式PDF
申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;
申请/专利号KR20030040616
发明设计人 JANG MIN SIK;
申请日2003-06-23
分类号H01L21/76;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 22:06:09
机译: 通过侧壁隔离层形成隔离层来防止沟槽角边缘形成的半导体装置浅沟槽的形成方法
机译: 通过场氧化处理在沟槽顶部拐角处进一步形成厚氧化层来形成半导体器件隔离层以防止MO垢的方法
机译: 沟槽顶部拐角处的防静电器件形成隔离层的方法