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METHOD FOR FORMING ISOLATION LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICE PREVENTING ELECTRIC-FIELD FOCUSING AT TRENCH TOP CORNER USING SPACER

机译:形成用于防止在沟槽顶部拐角处发生电场聚焦的半导体器件隔离层的方法

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号KR20050000056A

    专利类型

  • 公开/公告日2005-01-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;

    申请/专利号KR20030040616

  • 发明设计人 JANG MIN SIK;

    申请日2003-06-23

  • 分类号H01L21/76;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 22:06:09

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