形成受控深沟槽顶部隔离层的装置和方法

摘要

用以控制半导体存储器的深沟槽中隔离层厚度的方法包括以下步骤：形成深沟槽，在深沟槽中形成具有埋层带的存储节点；在埋层带上淀积隔离层，用来为存储节点提供电隔离；在隔离层上形成用来掩蔽隔离层的与埋层带接触的部分的掩蔽层；以及去除隔离层的除了由掩蔽层掩蔽的部分之外的部分，从而改善对隔离层的厚度的控制。还包括制造垂直晶体管的方法：使基片凹进，使得可以增加晶体管沟道与埋层带向外扩散部分之间的重叠。还公开一种半导体存储器。