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METHOD OF FORMING GATE OF SEMICONDUCTOR DEVICE TO CONTROL UNIFORMLY DEGREE OF OXIDATION IN RESPONSE TO DOPING LEVEL OF DOPED POLYSILICON LAYER

机译：形成半导体器件的栅极以控制掺杂多晶硅层的掺杂水平来统一控制氧化程度的方法

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公开/公告号KR20050003533A

专利类型
公开/公告日2005-01-12

原文格式PDF
申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;
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申请/专利号KR20030042428
发明设计人 PARK JEONG HWAN;
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申请日2003-06-27
分类号H01L21/336;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 22:06:01

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