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METHOD FOR PLANARIZING INTERLAYER DIELECTRIC WITH GLOBAL PLANARIZATION CAPABILITY IN SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MIM PATTERN

机译：具有MIM模式的半导体器件中具有整体平面化能力的层间介电层的平面化方法

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摘要

机译：

著录项

  • 公开/公告号KR20050012639A

    专利类型

  • 公开/公告日2005-02-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD.;

    申请/专利号KR20030051776

  • 发明设计人 KWON BYOUNG HO;

    申请日2003-07-26

  • 分类号H01L21/304;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 22:05:53

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