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RETICLE INSPECTION METHOD USING WAFER TEST APPARATUS

机译:使用晶片测试装置的光罩检查方法

摘要

The present invention is a reticle inspection method using the wafer inspection equipment for inspecting a defect that can be generated in the modification process of the reticle by using the unmodified reticle used using the modified reticle and the field formed on the wafer compared to the field formed gender wafer It discloses.; Reticle inspection method using the wafer inspection device according to the invention, by analyzing the pattern formed on the wafer, and using the wafer inspection equipment for inspecting a defect on the reticle, but forming a field containing a plurality of dies on the wafer, corrected the formed using a non-first reticle 1 field, a wafer of the second field, formed by using a second reticle modified to reflect the wafer process analysis result using the first reticle is formed to be repeated in one direction the first step to go through the process and by the wafer process is achieved by having a second step of the test patterns between the second field and the first field is formed on the wafer.
机译:本发明是使用晶片检查设备的掩模版检查方法,该晶片检查设备用于通过使用使用改性掩模版的未改性掩模版和在晶片上形成的场与形成的场相比来检查在掩模版的修改过程中可能产生的缺陷。性别晶片。使用本发明的晶片检查装置的掩模版检查方法,通过分析形成在晶片上的图案,并使用晶片检查设备来检查掩模版上的缺陷,但是在晶片上形成包含多个管芯的区域,进行校正通过使用非第一掩模版1场形成的第二场的晶片,通过修改以反映使用第一掩模版的晶片工艺分析结果而形成的第二场的晶片形成为在一个方向上重复进行第一步骤通过在晶片上形成第二场和第一场之间的测试图案的第二步骤来实现该工艺和通过晶片工艺。

著录项

  • 公开/公告号KR20050059899A

    专利类型

  • 公开/公告日2005-06-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;

    申请/专利号KR20030091624

  • 发明设计人 JIE SEOK HO;

    申请日2003-12-15

  • 分类号H01L21/66;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 22:05:07

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