首页> 外国专利> PSEUDO STATIC RANDOM ACCESS MEMORY(PSRAM) FOR CARRYING OUT WRITE-VERIFY-READ FUNCTION

PSEUDO STATIC RANDOM ACCESS MEMORY(PSRAM) FOR CARRYING OUT WRITE-VERIFY-READ FUNCTION

机译:伪静态随机存取存储器(PSRAM),用于执行写验证读功能

摘要

A PSRAM performs a Write-Verify-Read function at a test mode, thereby easily analyzing defects. The PSRAM comprises a test mode decoder, a refresh control block and a precharge control block. The test mode decoder generates a test mode control signal for performing a WVR function when a test mode starts. The refresh control block selectively performs a refresh operation in response to the test mode control signal. The precharge control block selectively performs a precharge operation in response to the test mode control signal outputted from the test mode decoder. Here, the test mode control signal is activated at the test mode so that the refresh operation and the precharge operation are not performed.
机译:PSRAM在测试模式下执行Write-Verify-Read功能,从而轻松分析缺陷。 PSRAM包括测试模式解码器,刷新控制块和预充电控制块。当测试模式开始时,测试模式解码器生成用于执行WVR功能的测试模式控制信号。刷新控制块响应于测试模式控制信号选择性地执行刷新操作。预充电控制块响应于从测试模式解码器输出的测试模式控制信号选择性地执行预充电操作。这里,在测试模式下激活测试模式控制信号,使得不执行刷新操作和预充电操作。

著录项

  • 公开/公告号KR20050091872A

    专利类型

  • 公开/公告日2005-09-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;

    申请/专利号KR20040016539

  • 发明设计人 KWON TAE WOO;LEE SANG KWON;

    申请日2004-03-11

  • 分类号G11C11/4193;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 22:04:33

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号