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Adjustment marking for alignment of semiconductor wafer in photolithographic structuring apparatus using grid structure and partial structure each having evenly spaced parallel structural elements

机译:使用网格结构和部分结构的光刻结构化设备中用于半导体晶片对准的调整标记,每个网格结构和部分结构均具有均匀间隔的平行结构元素

摘要

The adjustment marking has a grid structure (10), for provision of a diffraction grating in the photolithographic structuring apparatus, formed by a number of first structural elements (12) applied to the surface of the semiconductor wafer in parallel with one another, at a defined relative spacing, selected elements interrupted for providing a region (14) without any structural elements. At least one partial structure (16), providing a diffraction grating and a reflection pattern in the photolithographic structuring apparatus, has a number of second structural elements (18), at least some of which extend in line with first structural elements of the grid structure.
机译:调整标记具有栅格结构(10),用于在光刻结构化设备中提供衍射光栅,该栅格结构由彼此平行地施加到半导体晶片表面的多个第一结构元件(12)形成。在限定了相对间隔的情况下,选定的元件中断以提供没有任何结构元件的区域(14)。在光刻结构化设备中提供衍射光栅和反射图案的至少一个局部结构(16)具有多个第二结构元件(18),其中至少一些与网格结构的第一结构元件成一直线延伸。

著录项

  • 公开/公告号DE10345238A1

    专利类型

  • 公开/公告日2005-05-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;

    申请/专利号DE2003145238

  • 发明设计人 HOMMEN HEIKO;STAECKER JENS;

    申请日2003-09-29

  • 分类号H01L23/544;G03F9/00;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 22:01:12

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