要解决的问题:提供一种用于靶材的单晶MgO烧结体,以通过使用包括具有优异的膜特性的电子束方法在内的真空气相沉积法在衬底上沉积MgO膜。本发明提供一种在不降低密度且不降低MgO膜的耐溅射性的情况下改善所获得的MgO膜用于PDP保护膜时的放电特性的方法,并提供了一种用于制造单晶MgO烧结体的方法和制备该MgO膜的方法。以单晶MgO烧结体为靶得到的PDP保护膜。
解决方案:在单晶氧化镁烧结体中,Si和Ca对MgO的含量分别为SiO 版权:(C)2006,JPO&NCIPI
公开/公告号JP2006022374A
专利类型
公开/公告日2006-01-26
原文格式PDF
申请/专利权人 TATEHO CHEM IND CO LTD;
申请/专利号JP20040201018
申请日2004-07-07
分类号C23C14/24;C23C14/34;C04B35/04;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:54:41