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单晶氧化镁烧结体及其制造方法以及等离子体显示板用保护膜

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摘要

本发明提供一种单晶氧化镁烧结体，其特征在于，其为氧化镁中的杂质总计在3质量％以下的单晶氧化镁烧结体，烧结体具有50％以上且不足90％的相对密度，并且含有粒径在200μm以上的颗粒。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-01-11

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B35/04 公开日:20070516 申请日:20050603

发明专利申请公布后的驳回
2007-07-11

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-05-16

公开

公开

1. 单晶氧化镁烧结体及其制造方法以及等离子体显示板用保护膜 [P] . 中国专利： CN1964932A . 2007-05-16
2. 等离子体显示板的保护膜以及它的制造方法 [P] . 中国专利： CN1497642A . 2004-05-19
3. SINGLE CRYSTAL MAGNESIUM OXIDE SINTERED COMPACT, MANUFACTURING METHOD THEREOF,AND PROTECTIVE FILM FOR USE IN PLASMA DISPLAY PANEL [P] . 日本专利： JP2005343758A . 2005-12-15

机译：单晶氧化镁烧结体，其制造方法，以及用于等离子体显示板的保护膜
4. SINGLE CRYSTAL MAGNESIUM OXIDE SINTERED COMPACT, ITS PRODUCTION METHOD AND PROTECTIVE FILM FOR PLASMA DISPLAY PANEL [P] . 日本专利： JP2006002208A . 2006-01-05

机译：等离子体显示板的单晶氧化镁烧结体，生产方法及保护膜
5. SINGLE CRYSTAL MAGNESIUM OXIDE SINTERED COMPACT AND PROTECTIVE FILM FOR PLASMA DISPLAY PANEL [P] . 日本专利： JP2006069811A . 2006-03-16

机译：等离子体显示板的单晶氧化镁烧结致密保护膜