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CU ECP PLANARIZATION BY INSERTION OF POLYMER TREATMENT STEP BETWEEN GAP FILL AND BULK FILL STEPS

机译:通过在间隙填充和批量填充步骤之间插入聚合物处理步骤来进行CU ECP平面化

摘要

The method generally includes filling features in a substrate by plating metal ions from a gap fill solution onto the substrate, reducing plating activity in the features in a polymer treatment step by conditioning the substrate surface with a conditioning solution, and plating the substrate surface to a desired thickness by plating metal ions from a bulk fill solution onto the substrate surface. The method may also include treating the substrate with a conditioning solution comprising suppressors after a seed layer deposition to substantially eliminate conformal deposition in features of the substrate and plating metal ions from a plating solution onto the substrate.
机译:该方法通常包括通过将来自间隙填充溶液的金属离子电镀到基材上来填充基材中的特征,通过用调理溶液对基材表面进行调理来降低聚合物处理步骤中部件中的电镀活性,以及​​将基材表面电镀至表面。通过将来自整体填充溶液的金属离子电镀到基板表面上,可得到所需的厚度。该方法还可以包括在种子层沉积之后用包含抑制剂的调理溶液处理基板,以基本上消除基板特征中的保形沉积,以及将金属离子从电镀溶液电镀到基板上。

著录项

  • 公开/公告号US2006237325A1

    专利类型

  • 公开/公告日2006-10-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICHAEL X. YANG;

    申请/专利号US20060426865

  • 发明设计人 MICHAEL X. YANG;

    申请日2006-06-27

  • 分类号C25D3/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 21:47:16

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