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用于填充微细图案间隙的间隙填充聚合物及使用其制造半导体器件的方法

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摘要

一种用于填充微细图案间隙的间隙填充聚合物，其具有低的介电常数(低k)和优异的间隙填充性能，该聚合物可以包括通过由式1表示的第一低聚物和由式2表示的第二低聚物的缩聚反应形成的化合物。

公开/公告号CN107663275B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-24

原文格式PDF
申请/专利权人爱思开海力士有限公司;
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申请/专利号CN201710265882.8
发明设计人文志原;张镇旭;李相烈;李圣宰;李根守;李永善;金玟秀;
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申请日2017-04-21
分类号C08G77/42(20060101);C08G77/20(20060101);C08G77/18(20060101);H01L21/02(20060101);H01L21/027(20060101);
代理机构11363 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人郭放;许伟群
地址韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 11:22:28

1. 用于填充微细图案间隙的间隙填充聚合物及使用其制造半导体器件的方法 [P] . 中国专利： CN107663275B . 2020.11.24
2. 用于填充微细图案间隙的间隙填充聚合物及使用其制造半导体器件的方法 [P] . 中国专利： CN107663275A . 2018-02-06
3. GAP-FILL POLYMER FOR FILLING FINE PATTERN GAPS AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME [P] . 美国专利： US2018033688A1 . 2018-02-01

机译：用于填充精细图案间隙的填充间隙聚合物以及使用该间隙填充聚合物制造半导体器件的方法
4. Gap-fill polymer for filling fine pattern gaps and method for fabricating semiconductor device using the same [P] . 美国专利： US9892964B1 . 2018-02-13

机译：用于填充细微图案间隙的间隙填充聚合物及其制造半导体器件的方法
5. FINE GAP-FILL POLYMERS, FINE GAP-FILLING COMPOSITIONS COMPRISING SAME, AND METHOD FOR MAKING INTEGRATED CIRCUIT SEMICONDUCTOR DEVICES USING SAME [P] . 世界知识产权组织专利： WO2011078483A2 . 2011-06-30

机译：精细间隙填充聚合物，包含相同间隙的精细间隙填充组合物以及使用相同间隙制造集成电路半导体器件的方法