首页> 外国专利> Single event effect (SEE) tolerant circuit design strategy for SOI type technology

Single event effect (SEE) tolerant circuit design strategy for SOI type technology

机译:SOI类型技术的单事件效果(SEE)容错电路设计策略

摘要

A method of designing an integrated circuit to be Single Event Upset (SEU) immune by converting one or more Single Event Transient (SET) sensitive transistors into at least two serially connected transistors, and spacing the transistors sufficiently far apart so that the probability of a specified high-energy particle striking both transistors at the same time is remote.
机译:一种通过将一个或多个单事件瞬态(SET)敏感晶体管转换为至少两个串联连接的晶体管,并将晶体管隔开足够远的距离,从而使集成电路具有单事件翻转(SEU)免疫能力的方法。同时撞击两个晶体管的指定高能粒子距离较远。

著录项

  • 公开/公告号US2006187700A1

    专利类型

  • 公开/公告日2006-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 IU-MENG TOM HO;

    申请/专利号US20060350673

  • 发明设计人 IU-MENG TOM HO;

    申请日2006-02-08

  • 分类号G11C11/22;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 21:46:13

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号