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Field emission type cold cathode device, manufacturing method thereof and vacuum micro device

机译:场发射型冷阴极器件,其制造方法和真空微器件

摘要

A field emission type cold cathode device comprises a substrate, and a metal plating layer formed on the substrate, the metal plating layer contains at least one carbon structure selected from a group of fullerenes and carbon nanotubes, the carbon structure is stuck out from the metal plating layer and a part of the carbon structure is buried in the metal plating layer.
机译:场致发射型冷阴极器件包括:基板;和形成在基板上的金属镀层,该金属镀层包含选自富勒烯和碳纳米管的组中的至少一个碳结构,该碳结构从金属中伸出。镀层和一部分碳结构埋在金属镀层中。

著录项

  • 公开/公告号US2006244364A1

    专利类型

  • 公开/公告日2006-11-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MASAYUKI NAKAMOTO;

    申请/专利号US20060476045

  • 发明设计人 MASAYUKI NAKAMOTO;

    申请日2006-06-28

  • 分类号H01J63/04;H01J1/62;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 21:46:09

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