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Fluorine-free metallic complexes for gas-phase chemical metal deposition

机译：用于气相化学金属沉积的无氟金属配合物

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摘要

The invention concerns novel copper or silver complexes and their use for gas-phase chemical deposition of metal copper or silver almost free of impurities.

机译：本发明涉及新颖的铜或银配合物及其在几乎没有杂质的气相化学沉积金属铜或银中的用途。

著录项

公开/公告号US2006121709A1

专利类型
公开/公告日2006-06-08

原文格式PDF
申请/专利权人 PASCAL DOPPELT;
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申请/专利号US20050529569
发明设计人 PASCAL DOPPELT;
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申请日2003-09-25
分类号H01L21/20;C07F1/08;C07F1/10;
国家 US
入库时间 2022-08-21 21:44:22

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