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NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE PERMITTING DATA-READ OPERATION PERFORMED DURING DATA-WRITE/ERASE OPERATION

机译:非易失性半导体存储器允许在进行数据写/擦除操作期间执行数据读取操作

摘要

A non-volatile semiconductor memory includes a plurality of memory areas (11, 21), one of the control unit 33 to perform data write or data-erase operation for the memory area (11, 21), the data write or data-erase operation detecting the specifying one of the performing memory area (11, 21) address and at least one output terminal for supplying an address detection unit that supplies information indicating an address 51, information to the outside of the device (61, 62 and a).
机译:非易失性半导体存储器包括多个存储区域(11、21),控制单元33之一对存储区域(11、21)执行数据写入或数据擦除操作,数据写入或数据擦除该操作检测指定执行存储器区域(11、21)地址和至少一个输出端子的操作,该输出端子用于提供地址检测单元,该地址检测单元将指示地址51的信息提供给设备(61,62和a)的外部。

著录项

  • 公开/公告号KR100622361B1

    专利类型

  • 公开/公告日2006-09-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20000015453

  • 发明设计人 기타자키가주히로;

    申请日2000-03-27

  • 分类号G11C16/12;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 21:23:02

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