首页> 外国专利> METHOD triode cathode-plasma nitriding PARTS WITH HOLES

METHOD triode cathode-plasma nitriding PARTS WITH HOLES

机译:孔的三极管阴极-等离子体渗氮方法

摘要

1. u0442u0440u0438u043eu0434u043du044bu0439 way u043au0430u0442u043eu0434u043du043e plasma u0430u0437u043eu0442u0438u0440u043eu0432u0430u043du0438u00a0 in u0443u0441u043bu043eu0432u0438u00a0u0445 low u0434u0430u0432u043bu0435u043du0438u00a0 offset between the part and the third u0433u043eu0440u00a0u0447u0438u043c electrode, u043eu0442u043bu0438u0447u0430u044eu0449u0438u0439u0441u00a0, u0432u043eu043au0440 a. create a vacuum chamber u0432u0440u0430u0449u0430u044eu0449u0435u0435u0441u00a0 magnetic field, magnetic induction u0430u043cu043fu043bu0438u0442u0443u0434u043du043eu0435 importance which u043eu043fu0440u0435u0434u0435u043bu00a0u044eu0442 of u0441u043eu043eu0442u043du043eu0448u0435u043du0438;where m is the mass of the positive ion, u -, negative potential is applied to the treated areas of detail on the vacuum chamber q is positive and u0437u0430u0440u00a0u0434 she, the cd - critical angle u043fu0430u0434u0435u043du0438u00a0 positive ion on the surfaces, d is the minimum diameter of u043eu0442u0432u0435u0440u0441u0442u0438u00a0 in details, in u0430u043cu043fu043bu0438u0442u0443u0434u043du043eu0435 importance induction u0432u0440u0430u0449u0430u044eu0449u0435u0433u043eu0441u00a0 magnetic u043fu043eu043bu00a0,;2. u0442u0440u0438u043eu0434u043du044bu0439 way u043au0430u0442u043eu0434u043du043e plasma u0430u0437u043eu0442u0438u0440u043eu0432u0430u043du0438u00a0 on 1, u043eu0442u043bu0438u0447u0430u044eu0449u0438u0439u0441u00a0, u0432u0440u0430u0449u0430u044eu0449u0435u0435u0441u00a0 magnetic field created by u043fu043eu043fu0435u0440u0435u043cu0435u043du043du043eu0433u043e u0432u043au043bu044eu0447u0435u043du0438u00a0 in horizontal nome and the vertical direction.
机译:1. u0442 u0440 u0438 u043e u0434 u043d u044b u0439方式 u043a u0430 u0442 u043e u0434 u043d u043e等离子 u0430 u0437 u043437 u043e u043e u0442 u0438 u0440 u043e u043e u0443 u0441 u043b u043e u0432 u0438 u00a0 u0445低 u0434 u0430 u0432 u043b u0435 u043d u043d u0438 u00a0中的 u0430 u043d u0438 u00a0 u0433 u043e u0440 u00a0 u0447 u0438 u043c电极, u043e u0442 u043b u0438 u0447 u0430 u044e u0449 u0438 u0439 u0441 u0040 u00a0 u0432 u043e u043a u04a。创建一个真空室 u0432 u0440 u0430 u0449 u0430 u044e u0449 u0435 u0435 u0441 u00a0磁场,磁感应 u0430 u043c u043f u043b u0438 u0442 u0442 u0443 u0434 u043d u043e u0435其中 u0441 u043e u043e u043e u0442 u043d u043d u043e u043e u043e u043e u0442 u043d u043d u043e u043b u043e u043e u043e u0434 u0435的位置的重要性正离子的质量u-负电势施加到真空室上经过处理的细节区域,q为正,而cd-临界角 u043f u0430 u0434 u0435 u043d u0438 u00a0表面上的正离子,d是 u043e u0442 u0432 u0435 u0440 u0441 u0442 u0438 u00a0的最小直径,详细信息在 u0430 u043c u043f u043b u0438 u0442 u0443 u0434 u043d u043e u0435重要性感应 u0432 u0440 u0430 u0449 u0430 u044e u0449 u0435 u0433 u043e u0441 u00a0磁性 u043f u043e u043b 0 ,; 2。 u0442 u0440 u0438 u043e u0434 u043d u044b u0439方式 u043a u0430 u0442 u043e u0434 u043d u043e等离子 u0430 u0437 u043e u043e u0442 u0438 u0440 u043e u043e u0432 u043d u0438 u00a0 on 1, u043e u0442 u043b u0438 u0447 u0430 u044e u0449 u0438 u0439 u0441 u00a0, u0432 u0440 u0430 u0430 u0449 u0430 u044e u0449 u0435 u0435 u0441 u00a0 u043f u043e u043f u0435 u0440 u0435 u043c u0435 u043d u043d u043d u043e u0433 u043e u0432 u043a u043a u043b u044e u0447 u0435 u043d u0438 u00a0在水平方向和垂直方向上。

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号