首页> 外国专利> METHOD FOR RAPID ANALYSIS OF SOLID SAMPLES FOR photoelectron spectrometer

METHOD FOR RAPID ANALYSIS OF SOLID SAMPLES FOR photoelectron spectrometer

机译:光电子能谱仪中固体样品的快速分析方法

摘要

1.a way to express analysis of solid-state samples in the u0444u043eu0442u043eu044du043bu0435u043au0442u0440u043eu043du043du043eu043c gcms, including mechanical processing model and its installation in the working chamber, tci u0430u0447u043au0443 vacuum it, cleaning the surface of the sample pulse ionizing radiation, the separation of pulses in u044du043du0435u0440u0433u043eu0430u043du0430u043bu0438u0437u0430u0442u043eu0440u0435, registration of a child u043au0442u043eu0440u043eu043c and processing of spectrum, u043eu0442u043bu0438u0447u0430u044eu0449u0438u0439u0441u00a0 orderworking chamber formed by u0440u0430u0437u043cu0435u0449u0435u043du0438u00a0 device type "sucker" u043fu0440u043eu0442u00a0u0436u0435u043du043du043eu043c sample pumping vacuum u043eu0441u0443u0449u0435u0441u0442u0432u043bu00a0u044eu0442 to u0434u0430u0432u043bu0435u043du0438u00a0 10 - 6 to 10 - 5 torr, sweep over each sample u043fu0440u043eu0438u0437u0432u043eu0434u00a0u0442 within 0.01 - 0.1, and the sample pulse radiation ionising radiation start simultaneously with the end of his cleansing.;2. a way to express analysis of solid-state samples in the u0444u043eu0442u043eu044du043bu0435u043au0442u0440u043eu043du043du043eu043c gcms for 1, u043eu0442u043bu0438u0447u0430u044eu0449u0438u0439u0441u00a0, small in u043fu0440u043eu0442u00a0u0436u0435u043du043du043eu0441u0442u0438 sample without u0440u0430u0437u0440u0443u0448u0435u043du0438u00a0 u043fu0440u0438u043au0440u0435 u043fu043bu00a0u044eu0442 on a substrate, and a working chamber formed by u0440u0430u0437u043cu0435u0449u0435u043du0438u00a0 device type "sucker" is prominent.;3. a way to express analysis of solid-state samples in the u0444u043eu0442u043eu044du043bu0435u043au0442u0440u043eu043du043du043eu043c gcms for 1 or 2, u043eu0442u043bu0438u0447u0430u044eu0449u0438u0439u0441u00a0 so that cleaning the surface before the radiation of the idi u0443u043bu044cu0441u043du044bu043c ionising radiation u043eu0441u0443u0449u0435u0441u0442u0432u043bu00a0u044eu0442 ionic beam section, completely covering the u0438u0441u0441u043bu0435u0434u0443u0435u043cu0443u044e area.;4. a way to express analysis of solid-state samples in the u0444u043eu0442u043eu044du043bu0435u043au0442u0440u043eu043du043du043eu043c gcms for 2, u043eu0442u043bu0438u0447u0430u044eu0449u0438u0439u0441u00a0, cleaning the surface of the radiation pulse u043eu0441u0443u0449u0435u0441u0442u0432u043bu00a0u044eu0442 u043au043eu043bu0435u0431u0430u043du0438u00a0u043cu0438 ionising radiation and ultrasound.
机译:1.一种表示 u0444 u043e u0442 u043e u044d u043d u043b u0435 u043a u0442 u0440 u043e u043d u043d u043d u043e u043c gcms中固态样品的分析方法,包括机械加工模型并将其安装在工作室中,将其真空吸尘,清洁样品脉冲电离辐射的表面,在 u044d u043d u0435 u0440 u0433 u043e u0430 中分离脉冲u043d u0430 u043b u0438 u0437 u0430 u0442 u043e u0440 u0435,孩子 u043a u0442 u043e u0440 u043e u043c的注册和频谱处理, u043e u0442 u043b u0438 u0447 u0430 u044e u0449 u0438 u0439 u0441 u00a0由 u0440 u0430 u0437 u043c u0435 u0449 u0435 u043d u0438 u00a0设备类型“吸盘” u043f u0440 u043e u0442 u00a0 u0436 u0435 u043d u043d u043e u043c样品抽真空 u043e u0441 u0443 u0449 u0435 u0441 u0442 u0432 u0432 u043b u00a0 u044e u0442至 u0434 u0432 u043b u0435 u043d u0438 u00a0 10到6到10到5托样品 u043f u0440 u043e u0438 u0437 u0432 u043e u0434 u00a0 u0442在0.01-0.1之间,并且样品脉冲辐射的电离辐射在清洁结束时同时开始; 2。一种表示 u0444 u043e u0442 u043e u044d u043b u0435 u0435 u043a u0442 u0440 u043e u043d u043d u043d u043e u043c gcms中的固态样品的方法,用于 u043e u0442 u043b u0438 u0447 u0430 u044e u0449 u0438 u0439 u0441 u00a0,在 u043f u0440 u043e u0442 u00a0 u0436 u0435 u043d u043d u043d u043e u0441 u0442 u0在基板上没有 u0440 u0430 u0437 u0440 u0443 u0448 u0435 u043d u0438 u04a u0040由“吸盘”设备类型“ sucker ”形成的 u0440 u0430 u0437 u043c u0435 u0449 u0435 u043d u0438 u00a0形成的腔突出。一种表示 u0444 u043e u0442 u043e u044d u043d u043b u0435 u043a u0442 u0440 u043e u043d u043d u043d u043e u043c gcms中的固态样品的方法,用于1或2, u043e u0442 u043b u0438 u0447 u0430 u044e u0449 u0438 u0439 u0441 u00a0,以便在idi辐射之前清洁表面 u0443 u043b u044c u0441 u043d u043d u044b u043c电离辐射 u043e u0441 u0443 u0449 u0435 u0441 u0442 u0432 u043b u00a0 u044e u0442离子束截面,完全覆盖了 u0438 u0441 u0441 u043b u0435 u0434 u0434 u0443 u0435 u043c u0443 u044e区域; 4。一种在 u0444 u043e u0442 u043e u044d u043d u043b u0435 u043a u0442 u0440 u043e u043d u043d u043d u043e u043c gcms中表示固态样品分析的方法, u043e u0442 u043b u0438 u0447 u0430 u044e u0449 u0438 u0439 u0441 u00a0,清洗辐射脉冲的表面 u043e u0441 u0443 u0449 u0435 u0441 u0442 u0432 u0432 u043b u00a0 u044e u0442 u043a u043e u043b u0435 u0431 u0430 u043d u0438 u00a0 u043c u0438电离辐射和超声波。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号