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Non-volatile memory e.g. flash memory, device, has multiplexer circuit with program controller generating step control signals such that increment of voltage is varied according to mode of operation

机译:非易失性存储器闪存设备具有多路复用器电路,该多路复用器电路具有程序控制器,该程序控制器生成步进控制信号,从而根据操作模式来改变电压的增量

摘要

The device has a word line voltage generator circuit (200) generating a word line voltage to be supplied to a selected row in response to step control signals. A multiplexer circuit (190) has a program controller that generates the step control signals such that an increment of the word line voltage is varied according to a mode of operation. The increment of the voltage during a test mode of operation is larger.
机译:该装置具有字线电压产生器电路(200),该字线电压产生器电路(200)响应于阶跃控制信号而产生要提供给所选行的字线电压。多路复用器电路(190)具有程序控制器,该程序控制器产生阶跃控制信号,使得字线电压的增量根据操作模式而变化。在测试操作模式期间,电压的增量较大。

著录项

  • 公开/公告号DE102005026636A1

    专利类型

  • 公开/公告日2005-12-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号DE20051026636

  • 发明设计人 CHAE DONG-HYUK;BYEON DAE-SEOK;

    申请日2005-06-03

  • 分类号G11C29/00;G11C16/12;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 21:20:16

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