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A leakage-tolerant wide-NOR dynamic logic circuit with a strong keeper

机译:具有强大保持器的耐泄漏宽NOR动态逻辑电路

摘要

The strong keeper 401 in a wide-NOR dynamic logic circuit is disabled briefly by a gating device 404 during the evaluation phase. The pull-down transistors 105 can thus pull down the dynamic node 104 without contention with the powerful keeper 401 which would otherwise overwhelm them. A strong keeper is required to maintain the precharged node potential because a large leakage current can flow in the large number of short-channel pull-down transistors 105. The circuit may be used in a memory array or in a wide domino-NOR gate. The keeper may comprise an inverter or a sense amplifier coupled to a feedback PMOS transistor.
机译:在评估阶段,宽或非门动态逻辑电路中的强保持器401被选通设备404短暂禁用。因此,下拉晶体管105可以下拉动态节点104,而不会与强大的保持器401竞争,否则将使它们不堪重负。需要强大的保持器来维持预充电的节点电势,因为大的漏电流可以在大量的短沟道下拉晶体管105中流动。该电路可以用于存储器阵列或宽的多米诺或非门。保持器可以包括耦合到反馈PMOS晶体管的反相器或读出放大器。

著录项

  • 公开/公告号GB2420237A

    专利类型

  • 公开/公告日2006-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SUN MICROSYSTEMS INC.;

    申请/专利号GB20050022582

  • 发明设计人 PETER F LAI;XEUJUN YUAN;YE XIONG;

    申请日2005-11-04

  • 分类号H03K19/096;G11C7/06;G11C7/12;

  • 国家 GB

  • 入库时间 2022-08-21 21:16:31

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