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MAGNET STRUCTURE FOR MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS AND CATHODE ELECTRODE UNIT, AND MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS, AND METHOD FOR USING MAGNET STRUCTURE

机译:用于磁控溅射装置和阴极电极单元的磁结构以及磁控溅射装置以及使用磁结构的方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnet structure or the like which achieve widening of erosion of a target by changing the distribution of the line of magnetic force on a surface of the target by a simple driving mechanism.;SOLUTION: The magnet structure 110 for a magnetron sputtering apparatus is equipped with first and second fixed magnets 10, 13 arranged on a rear side of the target 20 so that magnetic poles of the same type are directed to the rear side of the target, and magnetic field correction means 11, 12 arranged on the rear side of the target 20 between the first and second fixed magnets 10, 13 and capable of changing the direction of the magnetic moment in a plane along the thickness direction and the width direction of the target 20.;COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
机译:解决的问题:提供一种磁体结构等,其通过简单的驱动机构通过改变靶表面上的磁力线的分布来实现对靶的侵蚀的扩大。解决方案:磁体结构110用于磁控溅射设备的装置包括:第一和第二固定磁体10、13,其布置在靶20的后侧,以使相同类型的磁极指向靶的后侧;以及磁场校正装置11,布置在靶20的后侧上的第一和第二固定磁体10、13之间的图12中的磁体12能够沿沿靶20的厚度方向和宽度方向的平面改变磁矩的方向。 C)2007,日本特许厅

著录项

  • 公开/公告号JP2007204811A

    专利类型

  • 公开/公告日2007-08-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SHIN MEIWA IND CO LTD;

    申请/专利号JP20060024709

  • 发明设计人 HORI TAKANOBU;KONDO TAKAHIKO;

    申请日2006-02-01

  • 分类号C23C14/35;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 21:15:45

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