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MAGNET STRUCTURE FOR MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS, CATHODE ELECTRODE UNIT, MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS AND METHOD FOR USING MAGNET STRUCTURE

机译:磁控溅射装置的磁结构,阴极电极单元,磁控溅射装置及使用磁结构的方法

摘要

A magnet structure (110) for a magnetron sputtering apparatus is provided with first and second stationary magnets (10, 13) arranged on the rear plane side of a target (20) with the same magnetic polarity facing the rear plane of the target. The magnet structure is also provided with magnetic field correcting means (11, 12), which are arranged on the rear plane side of the target (20) between the first and the second stationary magnets (10, 13) and can vary the direction of magnetic moment within a flat plane along the thickness direction and the width direction of the target (20).
机译:用于磁控溅射装置的磁体结构(110)具有第一和第二固定磁体(10、13),第一和第二固定磁体(10、13)以相同的磁极性面对靶的后表面布置在靶(20)的后表面侧。磁体结构还设置有磁场校正装置(11、12),该磁场校正装置布置在靶(20)的后平面侧上的第一和第二固定磁体(10、13)之间,并且可以改变磁场的方向。沿着靶(20)的厚度方向和宽度方向的平面内的磁矩。

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