解决方案:检查装置包括:照明部分,其将激发光辐射到半导体衬底;检测器,其用于检测在激发光的照射下的光致发光的发射;以及数据处理器,其处理由检测器检测到的发射数据以进行检测。半导体衬底的缺陷。它辐射发射光,直到发射强度的时间变化率基本上变为恒定以检测发射为止,从而导致缺陷的检测。
版权:(C)2008,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2007258567A
专利类型
公开/公告日2007-10-04
原文格式PDF
申请/专利权人 FUJITSU LTD;
申请/专利号JP20060083333
申请日2006-03-24
分类号H01L21/66;G01N21/64;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:13:22