要解决的问题:提供一种在宽范围的制造条件下容易进行精确的杂质扩散模拟的装置,方法和程序。
解决方案:在将离子注入到半导体衬底内部之后,立即计算出杂质原子的浓度分布。基于刚算出的注入后的杂质浓度分布的最大浓度,设定间隙原子的数量,该间隙原子的数量是通过进行离子注入的一个杂质原子在半导体基板中产生的。随后,基于所计算的注入之后立即的杂质浓度分布的浓度和间隙原子的数量,计算在半导体衬底中产生的间隙原子中的浓度分布,然后计算出杂质原子的浓度分布。根据计算出的注入之后立即得到的杂质浓度分布的浓度和间隙原子数,进行热处理。当上述最大浓度分布大于预定值时,由上述一个杂质原子产生的间隙原子的数量仅取决于最大浓度,并由根据杂质原子的种类唯一设置的值确定预先设置上述最大浓度的阈值。
版权:(C)2007,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2007019173A
专利类型
公开/公告日2007-01-25
原文格式PDF
申请/专利权人 MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD;
申请/专利号JP20050197799
发明设计人 TSUNO MORIKAZU;
申请日2005-07-06
分类号H01L21/22;H01L21;H01L21/265;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:12:43