首页> 外国专利> Silicon-based resonant cavity photodiode for image sensors

Silicon-based resonant cavity photodiode for image sensors

机译:用于图像传感器的硅基谐振腔光电二极管

摘要

An imager with pixels having a resonant-cavity photodiode. The resonant cavity photodiode increases absorption of light having long wavelengths. A trench is formed for the photodiode and reflective film is grown on the bottom of the trench. The reflective film reflects light that is not initially absorbed back to the active region of the photodiode.
机译:带有具有谐振腔光电二极管的像素的成像器。谐振腔光电二极管增加了对长波长光的吸收。形成用于光电二极管的沟槽,并且在沟槽的底部上生长反射膜。反射膜将最初未被吸收的光反射回光电二极管的有源区域。

著录项

  • 公开/公告号US7279764B2

    专利类型

  • 公开/公告日2007-10-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CHANDRA MOULI;

    申请/专利号US20040856935

  • 发明设计人 CHANDRA MOULI;

    申请日2004-06-01

  • 分类号H01L31/0288;H01L31/0352;H01L31/0368;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 21:00:59

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号