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Method and apparatus for low temperature copper to copper bonding

机译:低温铜与铜结合的方法和设备

摘要

A method comprising: coating a conductive bump on a first substrate with a conductive material to form a coated conductive bump; coating a conductive bump on a second substrate with a conductive material to form a coated conductive bump; and bonding the coated conductive bump on the first substrate to the coated conductive bump on the second substrate to electrically connect the first substrate to the second substrate.
机译:一种方法,包括:用导电材料在第一基板上涂覆导电凸块,以形成涂覆的导电凸块;用导电材料在第二基板上涂覆导电凸块以形成涂覆的导电凸块;将第一基板上的涂覆的导电凸块结合到第二基板上的涂覆的导电凸块,以将第一基板电连接到第二基板。

著录项

  • 公开/公告号US7183648B2

    专利类型

  • 公开/公告日2007-02-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SHRIRAM RAMANATHAN;SARAH E. KIM;

    申请/专利号US20040861030

  • 发明设计人 SHRIRAM RAMANATHAN;SARAH E. KIM;

    申请日2004-06-04

  • 分类号H01L23/48;H01L23/52;H01L29/40;B23K31;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 21:00:08

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