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High-density metal capacitor using dual-damascene copper interconnect

机译:使用双镶嵌铜互连的高密度金属电容器

摘要

An electronic structure having a first conductive layer provided by a dual damascene fabrication process; an etch-stop layer provided by the fabrication process, and electrically coupled with the first conductive layer, the etch-stop layer having a preselected dielectric constant and a predetermined geometry; and a second conductive layer, electrically coupled with the etch-stop layer. The structure can be, for example, a metal-insulator-metal capacitor, an antifuse, and the like.
机译:一种电子结构,其具有通过双镶嵌制造工艺提供的第一导电层;所述制造工艺提供的蚀刻终止层,所述蚀刻终止层与所述第一导电层电耦合,所述蚀刻终止层具有预选的介电常数和预定的几何形状;第二导电层,与蚀刻终止层电连接。该结构可以是例如金属-绝缘体-金属电容器,反熔丝等。

著录项

  • 公开/公告号US7187015B2

    专利类型

  • 公开/公告日2007-03-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LIMING TSAU;

    申请/专利号US20050085866

  • 发明设计人 LIMING TSAU;

    申请日2005-03-22

  • 分类号H01L27/10;H01L29/74;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 20:59:55

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