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包括结合使用双镶嵌型方案制造的微细间距背侧金属再分布线的穿硅过孔的3D互连结构

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本发明说明了一种3D互连结构和制造方法，其中，使用双镶嵌型工艺流程形成穿硅过孔(TSV)和金属再分布层(RDL)。可以在减薄的器件晶片背侧和RDL之间提供氮化硅或碳化硅钝化层，以在工艺流程过程中提供密封屏障和蚀刻停止层。

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公开/公告号CN103890940A

专利类型发明专利
公开/公告日2014-06-25

原文格式PDF
申请/专利权人英特尔公司;
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申请/专利号CN201180074420.9
发明设计人 K·J·李;M·T·博尔;A·W·杨;C·M·佩尔托;H·科塔里;S·V·萨蒂拉朱;H-S·马;
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申请日2011-10-28
分类号H01L23/48(20060101);H01L21/60(20060101);H01L23/14(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人陈松涛;王英
地址美国加利福尼亚
入库时间 2023-12-17 00:40:32

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-03-01

授权

授权
2014-07-16

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/48 申请日:20111028

实质审查的生效
2014-06-25

公开

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外文文献

1. 包括结合使用双镶嵌型方案制造的微细间距背侧金属再分布线的穿硅过孔的3D互连结构 [P] . 中国专利： CN103890940B . 2017.03.01
2. 包括结合使用双镶嵌型方案制造的微细间距背侧金属再分布线的穿硅过孔的3D互连结构 [P] . 中国专利： CN103890940A . 2014-06-25
3. 3D interconnect structure comprising through-silicon vias combined with fine pitch backside metal redistribution lines fabricated using a dual damascene type approach [P] . 美国专利： US9530740B2 . 2016-12-27

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4. 3D interconnect structure comprising through-silicon vias combined with fine pitch backside metal redistribution lines fabricated using a dual damascene type approach [P] . 美国专利： US9142510B2 . 2015-09-22

机译： 3D互连结构，包括硅通孔和使用双镶嵌类型方法制造的细间距背面金属重新分布线
5. 3D interconnect structure comprising fine pitch single damascene backside metal redistribution lines combined with through-silicon vias [P] . 美国专利： US9449913B2 . 2016-09-20

机译： 3D互连结构，包括细间距单金属镶嵌背面金属再分布线和硅通孔

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