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机译:将导电六硼化镧薄膜施加到半角质基底上的方法
公开/公告号PL193656B1
专利类型
公开/公告日2007-03-30
原文格式PDF
申请/专利权人 INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ;
申请/专利号PL19990336401
发明设计人 WOJCIK IRENEUSZ;
申请日1999-11-04
分类号H01L23/48;H01L21/203;
国家 PL
入库时间 2022-08-21 20:56:42
机译: 在半导电基质上应用导电性六硼化镧薄膜的方法
机译: 六硼化镧微粒,六硼化镧微粒,六硼化镧烧结体,六硼化镧膜的制造方法以及有机半导体装置
机译: 六方硼酸镧的微粒,六方硼酸镧的微粒,六方硼酸镧的烧结体,六方硼酸镧膜和有机半导体器件的制备方法