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METHOD AND SYSTEM FOR A MASKLESS LITHOGRAPHY RASTERIZATION TECHNIQUE BASED ON GLOBAL OPTIMIZATION

机译:基于全局优化的无光刻光刻技术的方法和系统

摘要

Provided are a method and system for determining states of spatial light modulator (SLM) pixels in a lithography system configured to print a desired pattern. The method includes determining diffraction orders associated with an ideal mask of a pattern to be printed by the lithography system, and then configuring the states of the SLM pixels to match all the diffraction orders that are relevant in the image formation.
机译:提供了一种用于确定被配置为打印期望图案的光刻系统中的空间光调制器(SLM)像素的状态的方法和系统。该方法包括确定与要由光刻系统印刷的图案的理想掩模相关联的衍射级,然后配置SLM像素的状态以匹配在图像形成中相关的所有衍射级。

著录项

  • 公开/公告号SG134055A1

    专利类型

  • 公开/公告日2007-08-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ASML HOLDING N.V.;

    申请/专利号SG2007053242

  • 申请日2006-01-27

  • 分类号G06K9/00;G02F1/135;G02F1/1335;G21K5/00;

  • 国家 SG

  • 入库时间 2022-08-21 20:55:45

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