要解决的问题:为了提供一种使用特定气体作为蚀刻剂的膜的构图方法,可以将膜构图为锥形形状,以使膜的加工末端之间的距离随着其消失而变短。在不严格控制气体的添加量的情况下,可以从基板上除去该气体,并且可以使锥角成为期望的角度。
解决方案:在膜的构图方法中,一方面。在基板上形成膜4和5,在膜4和5上形成第一掩模层10,并且在第一掩模层10上形成第二掩模层11。然后,第一和第二掩模层10和11如此图案化,使得第二掩模层11可以具有悬挂在第一掩模层10的边缘上的檐。在第一和第二掩模层10和11在膜4和5,膜4和5上方被构图的状态下通过蚀刻图案化。
版权:(C)2007,日本特许厅&INPIT
公开/公告号KR20070042451A
专利类型
公开/公告日2007-04-23
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申请/专利权人 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION;
申请/专利号KR20060099150
申请日2006-10-12
分类号H01L29/786;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 20:35:43